7.4. Зонная диаграмма и токи диодного тиристора в открытом состоянии

В открытом состоянии (α - велики) все три перехода смещены в прямом направлении. Это происходит вследствие накопления объемных зарядов в базах n₂, p₂ тиристора.

Действительно, при больших значениях коэффициента передачи α₂ электроны, инжектированные из n₂-эмиттера в р₂-базу, диффундируют к р-n переходу коллектора П₃, проходят его и попадают в n₁-базу. Дальнейшему прохождению электронов по тиристорной структуре препятствует потенциальный барьер эмиттерного перехода П₁. Поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной яме n₁-базы, образует отрицательный избыточный заряд.

Инжектированные дырки из эмиттера р₁ в базу n₁ диффундируют к р-n переходу коллектора П₃, проходят через него и попадают в базу р₂. Дальнейшему их продвижению препятствует потенциальный барьер эмиттерного перехода П₂. Следовательно, в базе р₂ происходит накопление избыточного положительного заряда.

В результате накопления избыточного положительного заряда в базе р₂ и отрицательного заряда в базе n₁ переход П₃ смещается в прямом направлении, происходит резкое увеличение тока и одновременное уменьшение падения напряжения на тиристоре.

На рисунке 7.7 приведена зонная диаграмма тиристора с накопленным объемным зарядом в обеих базах n₁ и р₂.

Величина падения напряжения в прямом участке ВАХ составляет прямое напряжение на трех прямо смещенных p-n переходах и имеет величину порядка 1-2 вольт.

Зонная диаграмма тиристора в открытом состоянии имеет вид, приведенный на рисунке 7.7, когда на всех p-n переходах прямое смещение, на П₁ и П₂ за счет внешнего напряжения, и на П₃ за счет объемных зарядов в базах Б₁ и Б₂.

Рис. 7.7. Зонная диаграмма и токи тиристора в открытом состоянии (везде прямое смещение)

Таким образом, тиристор имеет два устойчивых состояния: малый ток, большое напряжение, высокое сопротивление и большой ток, малое напряжение, малое сопротивление. Переход тиристора из "закрытого" в "открытое" состояние связан с накоплением объемного заряда в базах Б₁ и Б₂ из-за роста значения коэффициента передачи эмиттерного тока α и коэффициента умножения М.

То есть рост α, М с ростом тока J и напряжения V_G в тиристоре является причиной перехода тиристора из состояния "закрытого" в состояние "открытого".

В открытом состоянии тиристор находится до тех пор, пока за счет проходящего тока поддерживаются избыточные заряды в базах, необходимые для понижения высоты потенциального барьера коллекторного перехода до величины, соответствующей прямому его включению. Если же ток уменьшить до значения I_у, то в результате рекомбинации избыточные заряды в базах уменьшатся, р-n переход коллектора окажется включенным в обратном направлении, произойдет перераспределение падений напряжений на р-n переходах, уменьшатся коэффициенты передачи α и тиристор перейдет в закрытое состояние.

Таким образом, тиристор в области прямых смещений (прямое включение) является бистабильным элементом, способным переключаться из закрытого состояния с высоким сопротивлением и малым током в открытое состояние с низким сопротивлением и большим током, и наоборот.