Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

6.5. Эквивалентная схема и быстродействие МДП-транзистора

Исходя из общефизических соображений, МДП-транзистор можно изобразить в виде эквивалентной схемы, представленной на рисунке 6.8. Здесь Rвх обусловлено сопротивлением подзатворного диэлектрика, входная емкость Свх - емкостью подзатворного диэлектрика и емкостью перекрытия затвор-исток. Паразитная емкость Спар обусловлена емкостью перекрытий затвор-сток. Выходное сопротивление Rвых равно сопротивлению канала транзистора и сопротивлению легированных областей истока и стока. Выходная емкость Свых определяется емкостью р-n перехода стока. Генератор тока i1 передает эффект усиления в МДП-транзисторе.

Рис. 6.8. Простейшая эквивалентная схема МДП-транзистора

Определим быстродействие МДП-транзистора исходя из следующих соображений. Пусть на затвор МДП-транзистора, работающего в области отсечки, так что VGS = VDS = Vпит, подано малое переменное напряжение ú = u0sin(ωt).

Тогда за счет усиления в стоковой цепи потечет ток i1, равный:

   (6.27)

Одновременно в канал с электрода затвора потечет паразитный ток смещения через геометрическую емкость затвора, равный:

   (6.28)

С ростом частоты выходного сигнала f паразитный ток будет возрастать и может сравниваться с током канала за счет эффекта усиления. Определим граничную частоту работы МДП-транзистора f = fмакс, когда эти токи будут равны. Получаем с учетом (6.22):

   (6.29)

Поскольку напряжение исток-сток VDS порядка напряжения VGS - VT, то, используя определение дрейфовой скорости

   (6.30)

можно видеть, что предельная частота усиления fмакс определяется временем пролета τ электронов через канал транзистора:

   (6.31)

Оценим быстродействие транзистора.

Пусть μn = 500 см2/В·с, длина канала L = 10 мкм = 10-3 см, напряжение питания Vпит = 10 В. Подставляя эти значения в (6.29), получаем, что максимальная частота для МДП-транзистора составляет величину порядка fмакс ≈ 1 ГГц. Заметим, что собственное быстродействие транзистора обратно пропорционально квадрату длины инверсионного канала. Поэтому для повышения быстродействия необходимо переходить на субмикронные длины канала.

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Полевые транзисторы - Эквивалентная схема и быстродействие МДП-транзистора :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>