Твердотельная электроника. Учебное пособие.
Глава 5. Биполярные транзисторы
- 5.1. Общие сведения. История вопроса
- 5.2. Основные физические процессы в биполярных транзисторах
- 5.3. Формулы Молла-Эберса
- 5.4. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в активном режиме
- 5.5. Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой
- 5.6. Коэффициент инжекции
- 5.7. Коэффициент переноса. Фундаментальное уравнение теории транзисторов
- 5.8. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
- 5.9. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
- 5.10. Коэффициент обратной связи
- 5.11. Объемное сопротивление базы
- 5.12. Тепловой ток коллектора
- 5.13. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
- 5.14. Эквивалентная схема биполярного транзистора
- 5.15. Составные транзисторы. Схема Дарлингтона
- 5.16. Дрейфовые транзисторы
- 5.17. Параметры транзистора как четырехполюсника. h-параметры
- 5.18. Частотные и импульсные свойства транзисторов
Введение
В 1958 г. американские ученые Дж. Бардин и В. Браттейн создали полупроводниковый триод, или транзистор. Это событие имело громадное значение для развития полупроводниковой электроники. Транзисторы могут работать при значительно меньших напряжениях, чем ламповые триоды, и не являются простыми заменителями последних: их можно использовать не только для усиления и генерации переменного тока, но и в качестве ключевых элементов. Определение "биполярный" указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда двух сортов (электроны и дырки).
Copyright © 2003-2008 Авторы