Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Компел

2010: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
2009: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2008: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2007: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
2005: 
1, 2, 3

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал "Новости Электроники", номер 5, 2008 год

Новый транзистор преодолевает барьер мощности 1 кВт

Александр Акименко (Freescale Semiconductor)

Линейка RF-продуктов Freescale традиционно охватывает самый широкий спектр применений. В конце 2007 года она пополнилась новыми представителями - мощными транзисторами для промышленных, научных и медицинских применений, созданными по LDMOS-технологии. Эти устройства устанавливают новые стандарты для RF-компонентов и позволяют значительно уменьшить цену готового усилителя мощности.

Новые транзисторы обладают характеристиками (коэффициент усиления, КПД, тепловое сопротивление и т.д.), в совокупности превосходящими характеристики как биполярных транзисторов, так и MOSFET.

Силовые транзисторы 

Целевым рынком для этих устройств является сегмент промышленных, научных и медицинских приложений (ISM): системы магнитно-резистивной томографии (MRI) со сверхвысоким разрешением, вещательное оборудование с высокой мощностью, метеорадары, промышленные лазеры, плазменные генераторы и т.д.

Новые устройства основаны на шестом поколении высоковольтной LDMOS-технологии (VHV6 50V LDMOS). Эта технология является первой технологией подобного ряда, представленной специально для рынка вещательных, промышленных, научных и медицинских применений. К ВЧ-силовым транзисторам в вещательных и промышленных устройствах предъявляются очень строгие требования для обеспечения необходимой эффективности и надежности работы готовых устройств. Устройства на базе VHV6 50V LDMOS-технологии отличаются высоким значением коэффициента усиления и КПД. В сочетании с новым дизайном корпуса и теплоотвода эта технология позволяет за счет увеличения удельной мощности, приходящейся на каждый транзистор, значительно уменьшить количество необходимых вспомогательных компонентов. Это, в свою очередь, уменьшает занимаемую площадь на печатной плате и общую стоимость готового устройства по сравнению с традиционно применяемыми решениями (см. рис. 1).

 

Уменьшение количества компонентов усилителя при использовании решений

 

Рис. 1. Уменьшение количества компонентов усилителя при использовании решений
Freescale Semiconductor

Для построения усилителя мощности на 2 кВт вместо трех драйверов на 15 Вт и 8 усилителей на 300 Вт теперь достаточно использовать всего лишь три компонента Freescale: один драйвер на 10 Вт и два усилителя на 1 кВт. При этом можно получить усиление 50 дБ вместо 45 дБ в стандартной схеме.

Как и остальные устройства Freescale, выполненные по 50 V LDMOS-технологии, новые транзисторы имеют встроенную защиту от электростатического разряда (ESD), исключающую необходимость специальных защитных мер при их монтаже, а также позволяющую работать с большим разбросом напряжений затвора
(-6...+10 В), что необходимо для построения усилителей высокого класса. При рабочем напряжении 50 В, прикладываемом к транзистору, его входы и выходы имеют высокий импеданс, что облегчает согласование транзисторов в схеме усилителя мощности. Низкое тепловое сопротивление обуславливает хороший теплоотвод и в результате уменьшает размер радиаторов.

Транзисторы MRF6VP11KH, MRF6VP21KH и MRF6VP41KH имеют максимальную выходную мощность 1 кВт и рассчитаны на применение в импульсных устройствах: телевещательном оборудовании и оборудовании систем связи и безопасности. Четвертая новинка - транзистор MRF6VP2600H - обладает пиковой выходной мощностью 600 Вт в непрерывном режиме (CW), может использоваться как в постоянном, так и в импульсном режиме. Он предназначен для промышленных и научных применений.

Основные характеристики представителей нового семейства транзисторов:

Для поддержки разработчиков на сайте компании Freescale Semiconductor представлена обширная документация ( www.freescale.com/rf ), а также доступны для скачивания нелинейные модели транзисторов. Для быстрого начала работы и сокращения сроков разработок существует возможность заказа демонстрационных комплектов, включающих в себя плату с эталонным дизайном и настроенных под конкретные варианты применений.

Вернуться к содержанию номера







Ваш комментарий к статье
Журнал "Новости Электроники", номер 5, 2008 год :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>