Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Содержание ChipNews

2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2002: 
1, 5, 6, 7, 8, 9
2001: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

О. Дворников, В. Чеховский

Аналоговый биполярно-полевой БМК с расширенными функциональными возможностями

    Для проектирования многоканальных ИС ядерной электроники по биполярно-полевой технологии разработан специализированный БМК. Оригинальная топология макрофрагмента, универсальные конструкции активных элементов и контактных площадок, хорошие частотные и шумовые характеристики n-p-n (Ft > 3 ГГц, Rbb < 35 Ом,) и p-JFET транзисторов (Up = 23 В, Ft > 120 MГц) позволяют реализовать на БМК широкий спектр аналоговых ИС: импульсные усилители с RC-CR фильтрами, каскодные усилители, операционные усилители с входными каскадами на n-p-n, p-n-p, p-JFET транзисторах, трансимпедансные усилители с малым входным сопротивлением, широкополосные токовые усилители.


Рис. 1

    БМК (рис. 1) включает 4 идентичных канала, каждый из которых состоит из двух макрофрагментов (рис. 2). По периферии БМК размещены сложно-функциональные контактные площадки, которые либо выполняют функции контактных площадок ИС, либо используются как схемные элементы. Всего сложно-функциональных контактных площадок 54, они могут быть следующих типов:

    Макрофрагмент окружен экранирующим контактом, позволяющим устранить паразитное взаимодействие через подложку разных блоков и соседних каналов.Суммарные характеристики БМК приведены в табл. 2, 3. Размер кристалла БМК составляет 2,7х3,6 мм, на одной полупроводниковой пластине диаметром 100 мм находится около 650 кристаллов.

    Элементы БМК были изготовлены по биполярно-полевой технологии, наиболее важные характеристики элементной базы показаны на рисунках:

Рис. 7


Рис. 8

    Результаты измерений (линии) и моделирования (отдельные точки), приведенные на рис. 48, показывают достаточную точность Pspice моделей.
    Применение БМК возможно различными путями.

Национальный научно-учебный центр
физики частиц и высоких энергий при БГУ, Минск
Тел. (017) 231-4679, факс (017) 232-6075
E-mail: tchek@hep.by, dvr@basnet.minsk.by
http://goliath.hep.by/~tchek






Ваш комментарий к статье
Аналоговый биполярно-полевой БМК с расширенными функциональными возможностями :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>