Параметры российских биполярных транзисторов

Наимен.	тип	U_кбо(и),В	U_кэо(и), В	I_кmax(и), мА	P_кmax(т), Вт	h_21э	I_кбо, мкА	f_гр., МГц	К_ш, Дб
КТ903А	n-p-n	60(80)	60(80)	3000(5000)	(30)	15-70	10000	120	<2.5
КТ903Б	n-p-n	60(80)	60(80)	3000(5000)	(30)	40-180	10000	120	<2.5
КТ908А	n-p-n	100	60	10000	(50)	8-60	25000	30	<2.3
КТ908Б	n-p-n	100	60	10000	(50)	20	50000	30	<2.3
КТ940А	n-p-n	300	300	100(300)	1.2(10)	25	0.05	90	<1
КТ940Б		250	250	100(300)	1.2(10)	25	0.05	90	<1
КТ940В		160	160	100(300)	1.2(10)	25	0.05	90	<1
КТ945А	n-p-n	150	150	15000(25000)	(50)	10-80	50000	51	<2.5
КТ961А	n-p-n	100	80	1500(2000)	1(12.5)	40-100	10	50	<0.5
КТ961Б		80	60	1500(2000)	1(12.5)	63-160	10	50	<0.5
КТ961В		60	45	1500(2000)	1(12.5)	100-250	10	50	<0.5
КТ969А	n-p-n	300	250	100(200)	1(6)	50-250	0.05	60	<1
КТ972А	n-p-n	60	60	4000	(8)	750	1000	200	<1.5
КТ972Б	n-p-n	45	45	4000	(8)	750	1000	200	<1.5
КТ973А	p-n-p	60	60	4000	(8)	750	1000	200	<1.5
КТ973Б	p-n-p	45	45	4000	(8)	750	1000	200	<1.5
КТ997А	n-p-n	45	45	10000(20000)	(50)	40	10	51	<1
КТ997Б	n-p-n	45	45	10000(20000)	(50)	20	10	51	<1
КТ999А	n-p-n	250	250	50000(100000)	1.6(5)	50	<0.1	60	<1
КТ9115А	p-n-p	300	300	100(300)	1.2(10)	25-250	0.05	90	<1

U_кбо	- Максимально допустимое напряжение коллектор-база
U_кбои	- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
U_кэо	- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
U_кэои	- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
I_кmax	- Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_кmax и	- Максимально допустимый импульсный ток коллектора
P_кmax	- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
P_кmax т	- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h_21э	- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
I_кбо	- Обратный ток коллектора
f_гр	- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
U_кэн	- напряжение насыщения коллектор-эмиттер