Параметры интегральной микросхемы К174УН7Принципиальная схема ИМС К174УН7
Типовая схема включения ИМС К174УН7
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Литература
═ ═ ═ ═ Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом. Аналог микросхемы TBA810AS и LA4420 (функциональный аналог). Микросхема предназначена для применения в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.12.-1, 238.12-2. Масса не более 2,0 и 2,5гр соответственно (ТУ 1986г.).
Корпус ИМС К174УН7 |
1 - питание +Uи.п.; 4 - цепь обратной связи для регулировки Ку.u; 5 - коррекция; 6 - обратная связь; 7 - фильтр; 8 - вход; 9 - общий - Uи.п.. 10 - эмиттер выходного транзистора; 12 - выход; |
 |
| 201.12.-1 | 238.12-2 |
|---|
Принципиальная схема ИМС К174УН7
Типовая схема включения ИМС К174УН4
Электрические параметры
| ═ 1 ═ | ═ Номинальное напряжение питания | 15 В ╠ 10% |
| ═ 2 ═ ═ |
═ Выходное напряжение при ═ Uп = 15 В, fвх = 1 кГц |
═ ═ 2,6┘5,5 В |
| ═ 3 ═ ═ |
═ Максимальное входное напряжение при Uп = 15 В, ═ Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Рвых = 2,5 Вт |
═ ═ 30┘70 мВ |
| ═ 4 ═ | ═ Ток потребления при Uп = 15 В | ═ 5┘20 мА |
| ═ 5 ═ | ═ Выходная мощность при Rн = 4 Ома | ═ 4,5 Вт |
| ═ 6 ═ ═ ═ ═ |
═ Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц: ═ Uвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт ═ Uвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт ═ Uвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт |
═ ═> 10 % ═> 2 % ═> 2 % |
| ═ 7 ═ | ═ Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10┘+55°С | ═ 45 |
| ═ 8 ═ | ═ Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц | ═ 30 кОм |
| ═ 9 ═ | ═ Диапазон рабочих частот | ═ 40┘20 000 Гц ═ |
| 10 ═ | ═ Коэффициент полезного действия при Pвых = 4,5 Вт | ═ 50 % |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| ═ 1 ═ | ═ Напряжение питания | ═ 13,5┘16,5 В |
| ═ 2 ═ | ═ Амплитуда входного напряжения | ═> 2,0В |
| ═ 3 ═ ═ ═ |
═ Постоянное напряжение: ═ на выводе 7 ═ на выводе 8 |
═ ═> 15 В ═ 0,3┘2,0 В |
| ═ 4 ═ | ═ Сопротивление нагрузки | ═ 4 Ом |
| ═ 5 ═ ═ ═ |
═ Тепловое сопротивление: ═ кристалл-корпус ═ кристалл-среда |
═ ═ 20°С/Вт ═ 100°С/Вт |
| ═ 6 ═ | ═ Температура окружающей среды ═ ═ ═ | ═ -10┘+55°С |
| ═ 7 ═ | ═ Температура кристалла | ═ + 85 °С |
Общие рекомендации по применению
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода
при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса
выше 60°С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по
формуле
Р=(150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом),
где Ткорп - температура на поверхности теплоотвода у
основания пластмассового корпуса микросхемы.
Допускается кратковременное (в течении 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы недопустима. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.
