К159НТ1А-Е, КР159НТ1А-Е - матрица из двух n-p-n транзисторовКорпус ИМС КР159НТ1А-Е
Электрическая схема
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Зарубежные аналоги
Литература
Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр и типа 201.14-1, масса не более 1,0 гр.
Корпус ИМС К159НТ1А-Е
Корпус ИМС КР159НТ1А-Е
Электрическая схема
1,8 - свободные; 2 - коллектор транзистора VT1;
3 - база транзистора VT1;
4 - эмиттер транзистора VT1;
5 - эмиттер транзистора VT2;
6 - база транзистора VT2;
7 - коллектор транзистора VT2;
Электрические параметры
| 1 | Разность напряжений эмиттер-база транзисторов 159НТ1А-В 159НТ1Г-Е |
не более 3 мВ не более 15 мВ |
| 2 | Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА | 0,55...0,75 В |
| 3 | Обратный ток коллектор-база | не более 200 нА |
| 4 | Обратный ток эмиттер-база | не более 500 нА |
| 5 | Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В | не более 20 нА |
| 6 | Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА 159НТ1А,Г 159НТ1Б,Д 159НТ1В,Е |
20...80 60...180 более 80 |
| 7 | Емкость эмиттера на частоте 10 мГц | не более 5 пФ |
| 8 | Емкость коллектора на частоте 10 мГц | не более 4 пФ |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение коллектор-база | 20 В |
| 2 | Напряжение эмиттер-база | 4 В |
| 3 | Напряжение между транзисторами | 20 В |
| 4 | Ток коллектора постоянный | 10 мА |
| 5 | Ток коллектора импульсный tи=30 мкс | 40 мА |
| 6 | Рассеиваемая мощность | 50 мВт |
Зарубежные аналоги
2N4042-2N4045
Литература
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1999г. - 640с.:ил.
