Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Отечественные, серии:

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Корпус ИМС К155РЕ3
Условное графическое обозначение
Электрические параметры
Зарубежные аналоги
Литература


Микросхема представляет собой электрически программируемое посредством пережигания плавких перемычек постоянное запоминающее устройство (ППЗУ) емкостью 256 бит (32x8). В исходном состоянии по всем адресам и разрядам записан логический ноль. Корпус К155РЕ3 типа 238.16-2, масса не более 2 г.

Корпус ИМС К155РЕ3

238.16-2 package view



















Условное графическое обозначение

Условное графическое обозначение 1 - выход B1;
2 - выход B2;
3 - выход B3;
4 - выход B4;
5 - выход B5;
6 - выход B6;
7 - выход B7;
8 - общий;
9 - выход B8;
10 - вход адресный A0;
11 - вход адресный A1;
12 - вход адресный A2;
13 - вход адресный A3;
14 - вход адресный A4;
15 - вход разрешения выборки PB;
16 - напряжение питания;














Электрические параметры

1 Номинальное напряжение питания 5 В plus minus 5 %
2 Выходное напряжение низкого уровня не более 0,5 В
3 Напряжение на антизвонном диоде не менее -1,5 В
4 Входной ток низкого уровня не более -1 мА
5 Входной ток высокого уровня
    по выводам 10-14
    по выводу 15
 
не более 0,04 мА
не более 0,08 мА
6 Выходной ток высокого уровня не более 0,1 мА
7 Ток утечки на входе не более 1 мА
8 Ток потребления не более 110 мА
9 Потребляемая статическая мощность не более 550 мВт
10 Время выборки разрешения при включении не более 50 нс
11 Время выборки разрешения при выключении не более 50 нс
12 Время выборки адреса при включении не более 65 нс
12 Время выборки адреса при выключении не более 65 нс


Зарубежные аналоги

S8223



Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1998г. - 640с.:ил.

Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. "НТЦ Микротех", 1998г.,376 с. - ISBN-5-85823-006-7